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碳纳米管场电子发射性能不稳定性的分析

《微细加工技术》2008年 第6期 | 王必本 王峰瀛 党纯   重庆工学院数理学院 北京工业大学材料科学与工程学院 淮阴工学院计算科学系
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摘 要:利用等离子体增强热丝化学气相沉积制备了多壁碳纳米管,并测试了它的场电子发射性能,发现碳纳米管的场电子发射性能在测量过程中发生了变化。利用X射线能谱仪对碳纳米管进行了表征,结果表明氧吸附在碳纳米管上。氧的吸附导致了碳纳米管的功函数发生了变化,造成碳纳米管场电子发射性能不稳定。同时,本工作还分析了氢的吸附可能对碳纳米管场电子性能的影响。因此,本工作对碳纳米管在微电子领域的应用有一定的意义。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 真空电子学(电子物理学) > 阴极电子学 > 场致发射、场致发射阴极
【关键词】 碳纳米管 场电子发射 氧吸附
【出 处】 《微细加工技术》2008年 第6期 61-64页 共4页
【收 录】 中文科技期刊数据库

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