硅单晶上类金刚石薄膜织构和外延取向与界面价电子结构的关系

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摘　　要:

金刚石和立方氮化硼薄膜由于其优异的性能已经获得了实际应用．该类薄膜的特定取向对其在光学和微电子学领域的应用有特殊意义．用固体与分子经验电子理论（EET）计算了衬底硅不同晶面与金刚石和立方氮化硼薄膜不同晶面的相对电子密度差，从计算结果分析认为，对所研究的薄膜，薄膜与基底界面的电子密度差越小，薄膜在热力学上越稳定，界面的电子密度差是决定薄膜织构或外延取向的本质原因．这些推断与实验事实符合得很好．该计算方法和理论不仅为探讨金刚石和立方氮化硼在硅单晶表面上的薄膜生长机制提供了一个新视角，还可能为其他薄膜取向的预测提供指导．