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110V体硅LDMOS器件研究
罗向东 孙玲 陈海进 刘焱华 孙海燕 徐炜炜 陶涛 程梦璋 景为平 南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室 江苏南通226019第1页
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| 《南通大学学报：自然科学版》2008年 第2期 | 摘要：利用SILVACO TCAD工艺仿真和器件仿真软件研究了110V体硅LDMOS器件的几个重要参数对器件耐压特性的影响，研究结果表明，漂移区剂量存在一个最优值，过大将导致漂移区难以耗尽而使得沟道与漂移区边界发生击穿，而过小则导致漂移区迅速耗尽而在漏端表面发生击穿；衬底浓度低对提高开态击穿电压有一定效果，但低浓度衬底难以在CMOS工艺中使用；场氧与P阱和漂移区的PN结界面距离在零或者略大于零时器件耐压性有最优值；栅极板长度存在最优值，栅极板过长或过短都将使得器件的击穿电压有所降低。 | |
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| 格式：PDF 页数：5 页 页码范围：1-5页 | ||
学科分类：
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| 关 键 词：高压 LDMOS 击穿电压 仿真 | ||
| 来源期刊：《南通大学学报：自然科学版》2008年 第2期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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