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Effects of hydrostatic pressure and external electric field on the impurity binding energy in strained GaN/AlxGa1-xN spherical quantum dots

《光电子快报:英文版》2012年 第3期 | 达来木仁 闫祖威 石磊   School of Physics Science and Technology lnner Mongolia University Hohhot 010021 China College of Science lnner Mongolia Agricultural University Hohhot 010018 China
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摘 要:有约束力的精力和浅施主杂质的空效果精力移动在拉紧的 GaN/Al x Ga1x N 球形的有限潜力的量声明点(QD ) 基于有效集体近似用一个变化方法是计算的。有约束力的精力作为点尺寸和静水力学的压力的功能被计算。数字结果证明杂质州的有约束力的精力增加,达到最大的值,然后当 QD 半径为任何电场增加,减少。而且,有约束力的精力为点的任何尺寸与压力增加。为大点尺寸的杂质精力的空移动为小点尺寸比那大得多,并且它被电场的增加提高。我们有或没有紧张效果比较杂质状态的有约束力的精力,并且结果证明紧张效果更加提高杂质绑定精力,特别为小 QD 尺寸。我们也在我们的工作考虑绝缘的失配。
【分 类】【数理科学和化学】 > 物理学 > 半导体物理学 > 半导体理论 > 半导体量子理论【工业技术】 > 建筑科学 > 土力学、地基基础工程 > 岩石(岩体)力学及岩石测试 > 岩石稳定性分析
【关键词】 施主杂质态 静水压力 结合能 量子点 电场 球形 计算结果 应变效应
【出 处】 《光电子快报:英文版》2012年 第3期 224-228页 共5页
【收 录】 中文科技期刊数据库