稳定线宽的过曝光控制
梁宜勇[1] 顾智企[2] 章哲明[3] 闫玮[1] 杨国光[1]
[1]浙江大学信息科学与工程学院,浙江杭州310027 [2]浙江大学理学院,浙江杭州310027 [3]复旦大学数学科学学院,上海200433
摘 要:
在利用激光图形发生器制备微细图形时，为获得稳定的线条宽度，提出一种对薄胶层进行过曝光的技术．准直光束经物镜会聚后光斑的能量呈近似高斯分布，当胶层的曝光量阈值远离高斯型曝光量曲线的头部时，可以弱化线宽对实际曝光量或胶层曝光量阈值等变化的敏感度，从而提高线宽的稳定度．在涂有0．6μm薄胶的基片上，采用渐变曝光量的方法，利用激光束直写技术制取了一组短弧线，对线宽的测试结果表明，线宽与曝光量关系的实验性曲线和理论模型能较好地吻合．过曝光技术对线宽稳定度要求较高的器件，比如具有螺线波导的集成光学陀螺的制作有较重要价值．
学科分类:
TN305.7[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 一般性问题 > 半导体器件制造工艺及设备 > 光刻、掩膜]
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