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低温制备硅薄膜的晶粒尺寸研究

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张丽伟[1,2] 张松青[3] 卢景霄[1] 杨仕娥[1] 文书堂[1] 杨根[1] 郭学军[1] 李瑞[1]

[1]郑州大学教育部材料物理重点实验室,河南郑州450052 [2]新乡师范高等专科学校,河南新乡453000 [3]河南机电高等专科学校,河南新乡453002

《可再生能源》

2006年第6期

摘　　要:

利用等离子体增强（PECVD）法和快速热处理（RTP）法分别在玻璃衬底上制备了硅薄膜.用光谱测试仪器,对2种方法制备的硅薄膜进行了研究.结果显示,各种制备参数对增大薄膜晶粒尺寸存在一个最佳点;总的来说,RTP法制备的晶粒尺寸大于PECVD中制备的晶粒尺寸. (共3页)

关键词:

硅薄膜晶粒尺寸再结晶

学科分类:

O782[数理科学和化学 > 晶体学 > 晶体生长 > 晶体生长工艺]　 TM914.42[工业技术 > 电工技术 > 独立电源技术（直接发电） > 光电池 > 太阳能电池 > 薄膜太阳能电池]

主题相关参考文献(14篇)　耦合文献(35篇)　

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