不同设计参数MOS器件的γ射线总剂量效应
李冬梅[1] 皇甫丽英[1] 王志华[2] 勾秋静[1]
[1]清华大学电子工程系,北京100084 [2]清华大学微电子学研究所,北京100084
摘 要:
采用非加固工艺，通过设计加固手段实现具有辐射容忍性能的器件，可使器件抗辐射加固成本大为降低。本工作研究商用标准0．6vm体硅CMOS工艺下不同设计参数的MOS晶体管的γ射线总剂量辐照特性。通过对MOS器件在不同偏置情况下的总剂量辐照实验，分别对比了不同宽长比（W／L）NMOS管和PMOS管的总剂量辐照特性。研究表明，总剂量辐照引起阈值电压的漂移量对NMOS及PMOS管的W／L均不敏感；总剂量辐照引起亚阈区漏电流的增加随NMOS管W／L的减小而增加。研究结果可为抗辐射CMOS集成电路设计中晶体管参数的选择提供参考。 (共5页)
学科分类:
TN386.1[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件]
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