Cu薄膜应力的计算机模拟与表征

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孙治国[1,2] 杨莉[1,2]

[1]兰州理工大学甘肃省有色金属新材料省部共建国家重点实验室 [2]兰州理工大学材料科学与工程学院,甘肃兰州730050

国际标准刊号：ISSN 1000-0952

国内统一刊号：CN 62-1130

摘　　要:

用Monte Carlo法以Cu为例对薄膜生长过程中薄膜应力进行计算机模拟。将分子动力学法引入到连续体薄膜的生长过程中，通过面上的假想力来实现薄膜应力的计算机模拟，模拟结果表明，在一定原子入射率和基底温度下，在薄膜厚度极其薄的情况下，薄膜应力随薄膜平均厚度的增加而增大，薄膜应力随薄膜表面粗糙度的增大也增大。薄膜应力-厚度随原子沉积个数趋向于线性关系，并且模拟了薄膜应力与薄膜表面粗糙度以及沉积时间的关系曲线。[著者文摘]