硅烷膜的阴极电化学辅助沉积及其防护性能

摘　　要:

采用电化学辅助技术在LY12铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜（1，2-二-（三乙氧基硅基）乙烷（BTSE）膜与十二烷基三甲氧基硅烷（DTMS）膜），电化学阻抗谱测试结果显示，经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高，并且发现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规“浸涂法”有明显提高；两种硅烷膜均存在一个最佳的“临界阴极电位”（-0．8V），在此电位下制得的膜耐蚀性最佳，扫描电镜观察显示临界电位下所得硅烷膜最为完整致密，电位过正不利于成膜，而电位继续变负膜表面呈现多孔形貌，可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关．由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链，DTMS膜具有更好的耐蚀性． (共4页)