
月刊1976-01-01年创刊
16开
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主管单位:信息产业部
主办单位:中国半导体行业协会 半导体专业情报网 中国电子科技集团公司第十三所
社 长:杨克武
主 编:周立军
地 址:石家庄179信箱46分箱
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国际标准刊号:ISSN 1003-353X
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本刊是以促进半导体行业的发展,半导体技术的交流为宗旨。内容涵盖行业热点、新技术、关键技术等领域是广大行业内科研人员交流的平台,是行业内决策者的参考。
半导体技术 1990年 第02期目录
电致发光显示器(EL)国内外概况薛江虹 (1)
硅双栅场效应晶体管王英强 (5)
(100)硅上硅化钽膜氧化性质的研究张爱珍 (14)
LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铁肖特势垒红外电荷...程开富 (23)
制造高性能恒流管的工艺研究金仪骏 高巧云 (29)
等离子体聚合膜的制备及在ISFET中的应用邵丙铣 金曼娜 (32)
射频溅射AIN膜的材料性能及其在光电器件上的应用研究李朝勇 郭良 (35)
钼在半导体器件上的应用许澄嘉 (38)
砷化镓薄膜的电共沉积工艺高元恺 韩爱珍 (41)
论PCVD技术刘兆云 (45)
硅双极晶体管的hFE温度相关性分析及其应用翟冬青 张振岭 (49)
IC失效率的预测研究程洁超 (52)
用高频C—V特性测量表面势和界面陷阱密度及其分析齐鸣 陈苹 (57)
十年后美国半导体技术预测陈幼松 (61)
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