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高锗组分PIN锗硅光电探测器设计与模拟
李欢 牛萍娟 杨广华 李俊一 张宇 常旭 张秀乐 天津工业大学信息与通信工程学院 天津300160 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 北京100083 河北工业大学土木工程学院交通工程系 天津300130第1页
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| 《红外与激光工程》2008年 第3期 | 摘要：介绍了Si1-xGex合金材料在制作新型光电子器件方面的重要作用,描述了应变SiGe层的特性,包括其临界厚度与Ge组分的关系、能带变窄、折射率增加,以及应变SiGe层的亚稳态特性。设计了应变锗硅缓冲层上的高Ge组分PIN光电探测器的外延材料和结构,采用Silvaco软件分别对光电探测器的器件结构、光谱响应、响应电流及其随入射光功率的变化、器件的暗电流进行了模拟,结果显示,探测器有源区面积增大,其响应电流也增大,且暗电流比其响应电流小6～8个数量级;探测器的响应时间约为3.8×10^-9s;探测器在850nm左右具有较好的光响应;这些结果都比较理想。采用L-edit软件设计了该光电探测器的结构,最后对研究结果做出总结。 | |
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| 格式：PDF 页数：4 页 页码范围：440-443页 | ||
| 学科分类： | ||
| 关 键 词：光电探测器 锗硅 缓冲层 Silvaco | ||
| 来源期刊：《红外与激光工程》2008年 第3期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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