多晶硅薄膜高温退火特性研究分析

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摘　　要:

利用原子力显微镜、二次离子质谱分析仪和探针，对多晶硅薄膜的高温退火特性进行了实验研究。研究结果表明，多晶硅薄膜退火时出现的第二次反退火阶段，其物理起因是由于注入杂质在薄膜中的再分布；而在更高退火温度下，多晶硅薄膜会出现晶粒再结晶和再结晶弛豫过程，这些过程都会影响多晶硅薄膜的薄层电阻。