与常规CMOS工艺兼容的高压PMOS器件设计与应用
李红征[1] 于宗光[2]
[1]江南大学信息工程学院,江苏无锡214036 [2]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
摘 要:
采用常规P阱CMOS工艺，实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器律。制作的器件，其击穿电压为55V，阈值电压0．92V，驱动电流25mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。 (共4页)
学科分类:
TN432[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型]
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