4H-SiC MESFET表面陷阱效应研究

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摘　　要:

借助ISETCAD，对4H—SiCMESFET进行二维数值模拟，研究分析了表面陷阱对直流和瞬态特性的影响。数值模拟表明，在直流特性上，由于表面陷阱电荷引入附加耗尽层，器件饱和电流下降，输出电阻增加，夹断电压向右偏移，跨导降低；在瞬态特性上，表面陷阱电荷的缓慢变化引起了栅延迟的出现。能级靠近价带、密度较高时，表面陷阱效应越明显。