一种5．7GHz CMOS全集成低噪声放大器的设计
邓桂萍 王春华
湖南大学计算机与通信学院,湖南长沙410082
摘 要:
提出并设计了一种可以完全单片集成的5．7GHz低噪声放大器（LNA）。该电路结构利用MOSFET自身的栅寄生电阻，通过简单的LC网络变换实现输入匹配；并采用跨阻结构，实现输出匹配。该电路采用TSMC0．35μmCMOS工艺，用ADS模拟软件进行分析与优化。结果表明，设计的低噪声放大器，其增益为11．34dB，噪声系数为2．2dB，功耗12mw，输入反射系数-33dB，线性度-4dBm。 (共4页)
学科分类:
TN722.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 放大技术、放大器 > 放大器 > 低噪声放大器] TN432[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 场效应型]
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