UHF RFID阅读器中的堆叠式CMOS LNA设计
张润曦[1] 石春琦[1] 吴岳婷[1] 赖宗声[1] 曹丰文[2]
[1]华东师范大学微电子电路与系统研究所,上海200062 [2]苏州职业大学电子系,江苏苏州215000
摘 要:
提出了一种基于0.25μm标准CMOS工艺,可用于UHF RFID（超高频射频识别）阅读器前端的低噪声放大器。根据低噪声放大器的匹配、噪声和增益分析,结合射频识别系统的理论计算,提出堆叠器件的电路结构达到电流复用,以降低功耗并保证增益。测试结果表明,在2.5 V供电时,放大器可以提供约26.3 dB的前向增益,噪声系数约为1.9 dB,放大电路从电源电压上抽取5.8 mA左右的工作电流,反向隔离度达到-40 dB,放大器的IIP3约为-15 dBm。
学科分类:
TN402[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 一般性问题 > 设计] TN722.15[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 放大技术、放大器 > 放大器 > 放大器：按频率分 > 超高频放大器]
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