一种基于2μm互补双极CMOS工艺的低压降调整器

谢正旺[1,2] 李荣强[1,2] 刘勇[2] 胡永贵[2] 许云[2]

[1]重庆邮电大学,重庆400065 [2]模拟集成电路国家重点实验室、中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

摘  要:

采用先进的2μm互补双极CMOS工艺,研制出一种高精度双路低压差线性调整器(LDO)。该电路具有使能控制、误差输出、过温保护、短路保护等功能,只需外接一个0.47μF的瓷介电容,即可实现稳定工作;简化了外围设计,降低了成本,提高了应用的可靠性。

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