电流注入CMOS混频器的设计及特性分析
褚云飞 孙玲玲 文进才
杭州电子科技大学CAD所,杭州310018
摘 要:
分析并比较了两种基于电流注入技术的混频器的性能;定量地解释了跨导互补的电流注入混频器线性降低的原因。分析表明,相对于双平衡Gilbert混频器,两种基于Gilbert单元的电流注入混频器的性能,如增益、噪声和线性,都有所改善;传统电流注入混频器具有更好的线性特性,而跨导互补的电流注入混频器在增益和噪声方面则有更好的表现。基于TSMC 0.18μm CMOS混频器的仿真结果,对理论分析进行了验证。 (共5页)
学科分类:
TN773[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 基本电子电路 > 倍频器、分频器、变频器 > 变频器、混频器]
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