SOI横向栅控双极晶体管特性研究
顾爱军[1,2] 孙锋[1,2] 洪根深[2]
[1]江南大学,江苏无锡214075 [2]中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡214035
摘 要:
横向SOI双极技术具有工艺简单、寄生电容小等优势,被认为是射频领域最有希望的技术之一。为了得到可用于射频领域的SOI横向栅控双极晶体管特性,采用一种SOI横向栅控双极晶体管器件结构,研究范围包括工艺实现过程和器件性能特性。实验表明,该器件工艺与平面CMOS工艺完全兼容,通过对栅端电压的控制,可以实现hFE在一个较大的范围内自由调节,具有更大的使用灵活性。 (共3页)
学科分类:
TN322.8[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按性能分 > 双极性晶体管]
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