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一种优化的SiGe HBT集约模型及参数提取方法

陈巍巍[1] 周卫[1] 刘道广[1,2] 许军[1]

[1]清华大学微电子学研究所,北京100084 [2]模拟集成电路国家级重点实验室、中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060

《微电子学》

2008年第38卷第1期

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摘　　要:

通过合理简化和改进MEXTRAM模型，提出了一种优化的SiGe HBT集约模型和参数提取方法；精确提取了一组微波SiGe HBT的模型参数。仿真结果与测试数据的相对误差不超过3％。

关 键 词:

SiGe HBT集约模型 参数提取 寄生电容

学科分类:

TN322.8[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按性能分 > 双极性晶体管]

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