学术
基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术研究
韩春[1] 李竞春[1] 谭开洲[2,3] 张静[2,3]
[1]电子科技大学微电子与固体电子学院,成都610054 [2]模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060 [3]中国电子科技集团公司第二十四研究所,重庆400060
摘 要:
针对siGe BiCMOS集成中材料低温特性和高温工艺的矛盾，研究了一种基于MBE的SiGe非选择性图形外延技术，并进行了扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）、X射线双晶衍射（XRD）与位错密度测试。结果表明，该生长工艺制得了高质量SiGe薄膜，其表面平均粗糙度为0．45nm，位错密度为0．3×10^3cm^-2～1．2×10^3cm^-2，图形边界处材料生长良好，未出现位错堆积。实验证实，该技术可满足SiGe BiCMOS器件制备要求。[著者文摘]
文章出处:
《微电子学》-2008年38卷1期 -93-95页
栏目信息:
分 类 号:
文献标识码:
A
文章编号:
1004-3365（2008）01-0093-03
Non-Selective SiGe Pattern Epitaxy by MBE
HAN Chun,LI Jing-chun,TAN Kai-zhou,ZHANG Jing（1.School of Microelec. andsol. Sta. Electro., Univ. of Elec. Sci. and Technol. of China, Chengdu 610054, P. R. China; 2. National Laboratory of Analog IC＇s,Chongqing 400060;3. Sichuan Institute of Solid-State Gircuits, CETC, Chongqing 400060, P. R. China）
Abstract:
To handle thermal budget in SiGe BiCMOS process, a non-selective pattern epitaxy technology has been developed. SEM, AFM, XRD and dislocation density measurements were performed, which showed that the SiGe film＇s RMS roughness is 0. 45 nm, and dislocation density is from 0. 3×10^3 cm^-2 to 1.2×10^3 cm^-2. No dislocation accumulation exists on the boundary of the windows, which indicates the high quality of the SiGe film. The experiment results show that the technology meets the requirements of device fabrication by SiGe BiCMOS process.[著者文摘]
Key words:
SiGe; BiCMOS; Non-selective pattern epitaxy; MBE
基金资助:
模拟集成电路国家级重点实验室基金资助项目（51439010204DZ0219）
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