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原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究

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吕惠宾 戴守愚 陈正豪 周岳亮 金奎娟 程波林 何萌 郭海中 刘立峰 黄延红 杨国桢

中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080 中国科学院,物理研究所,北京凝聚态物理国家实验室,北京,100080

《功能材料》

2004年第z1期

摘　　要:

采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%.