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原子尺度控制全氧化物p-n结的制备和特性研究
吕惠宾 戴守愚 陈正豪 周岳亮 金奎娟 程波林 何萌 郭海中 刘立峰 黄延红 杨国桢 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京 中国科学院 物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室 北京
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摘要：采用替位掺杂的方法,使用激光分子束外延技术,成功地制备出钛酸锶、钛酸钡、钛酸锶/钛酸钡、YBCO/钛酸锶和钛酸锶/锰酸镧等全氧化物p-n结.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、高分辨透射电镜(HRTEM)等测量分析结果均表明,p-n结构的表面与界面均达到原子尺度的光滑,p-n结的I-V曲线显示了很好的整流特性.首次观测到全氧化物p-n结电流和电压的磁调制特性与正的巨磁电阻效应,在290 K和255 K条件下,外磁场变化5398A/m时,磁电阻的最大灵敏度分别达到85Ω/79.6 A·m-1和246Ω/79.6A·m-1;在一个多层p-n结构上,磁电阻的变化率△R/R0达到517%. | |
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| 格式：PDF 页数：4 页 页码范围：485-488页 | ||
| 学科分类： | ||
| 关 键 词：氧化物 p-n结 外延生长 正磁电阻 | ||
| 来源期刊：《功能材料》2004年 第z1期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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