不同衬底上La0．5Sr0．5CoO3薄膜生长及导电性质的研究
彭巨擘[1] 王建禄[1] 李丽萍[1] 普朝光[2] 蔡毅[2] 张鹏翔[1]
[1]昆明理工大学光电子新材料研究所,云南昆明650051 [2]昆明理工大学昆明物理所,云南昆明650032
摘 要:
用脉冲激光沉积法（PLD）分别在Si（100），SiO2／Si（100），LaAlO3衬底上制备了La0．5Sr0．5CoO3薄膜,在LaAlO3衬底上实现了La0．5Sr0．5CoO3薄膜的近外延生长，薄膜的电阻率最低．这是由于LaAlO3的晶格常数与La0．5Sr0．5CoO3最为接近．在SiO2／Si（100）衬底上生长的La0．5Sr0．5CoO3薄膜的电阻较Si（100）衬底上薄膜小，XRD表明SiO2／Si（100）衬底更易于薄膜的择优生长．
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