物理 >> 河南师范大学学报：自然科学版 >> 2007年35卷2期 >> 摘要

6H—SiC（0001）衬底结构对GaN膜结构的影响第一原理研究

评论推荐

下载全文

辛永松[1] 张百新[2] 戴宪起[3]

[1]平顶山教育学院,河南平顶山467000 [2]濮阳职业技术学院,河南濮阳457000 [3]河南师范大学物理与信息工程学院,河南新乡453007

《河南师范大学学报：自然科学版》

2007年第35卷第2期

摘　　要:

用从头计算方法总能理论研究了6H—SiC（0001）（√3×√3）R30°衬底上生长的GaN薄膜的界面结构特性．计算结果表明：GaN膜为Ga极性的纤锌矿结构；6H—SiC（0001）衬底表面台阶引起的GaN岛合并在薄膜中产生边界堆垛失配（SMBs），而这种SMBs缺陷随着薄膜生长厚度的增加可以消除． (共4页)