快速退火炉离子注入退火工艺设计

摘　　要:

研究了快速热处理系统中卤钨灯阵列的排列方式和硅片接受到的辐照度均匀性的关系，设计了一种可以满足硅片温度均匀性要求的轴对称排列的灯阵列形式．卤钨灯分布在三个半径分别为5，10，16．8cm的同心圆上，线密度分剐为0．127，0．191，0．341cm^-1加热头高度为10．2cm．此时辐照度的标准差有最小值，保证了硅片边缘和硅片中心能够得到尽可能一致的辐照．接着进行了P离子注入快速热退火试验，测量比较了退火后样品的方块电阻值，获得了快速热退火的最佳温度时间关系参数．对于剂量7．0×10^15cm^-2，能量60keV的P离子注入，快速热退火的最佳温度为1000℃，稳定10s． (共4页)