激光烧蚀制备掺铒纳米硅晶薄膜形貌研究
周阳[1] 刘云山[1] 褚立志[1] 王英龙[1] 彭英才[2] 傅广生[1]
[1]河北大学物理科学与技术学院,河北保定071002 [2]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002
摘 要:
采用XeCl准分子激光器交替烧蚀单晶硅靶和铒靶, 通过调整辐照两靶的激光脉冲个数比来控制掺铒浓度, 在2×10^-4 Pa真空下沉积制备了掺铒非晶硅薄膜, 经900～1200 ℃热退火实现纳米晶化. 扫描电子显微镜图像显示, 铒掺杂影响着薄膜的表面形貌, 与不掺铒情况相比, 可以得到晶粒尺寸分布更均匀的薄膜, 并且晶化温度更低. 对于一个固定掺铒浓度的样品, 随着退火温度的增加, 薄膜由晶粒结构转化为迷津结构. (共4页)
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