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电子电信 >> 稀有金属 >> 2007年31卷4期 >> 摘要

退火对锗单晶导电性能的影响

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王思爱 苏小平 冯德伸 尹士平

北京有色金属研究总院北京国晶辉红外光学科技有限公司,北京100088

稀有金属

《稀有金属》

2007年第31卷第4期

摘　　要:

退火工艺对锗单晶的导电性能有很大的影响。退火温度超过550℃会导致N型锗单晶电阻率升高,750℃以上温度退火甚至会发生N型锗单晶的导电型号变为P型。同时,退火温度超过550℃会导致锗单晶电阻率径向分布均匀性变差,这是Cu杂质与晶体缺陷共同作用的结果。

关键词:

锗单晶退火导电型号电阻率

学科分类:

TN213[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 红外技术及仪器 > 红外光学材料]

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