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高平均功率电光开关晶体热畸变分析

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曹丁象[1,2] 张雄军[1] 贺少勃[1] 吴登生[1] 郑万国[1] 谭吉春[2]

[1]中国工程物理研究院激光聚变研究中心,四川绵阳621900 [2]国防科学技术大学技术物理研究所,长沙410073

《强激光与粒子束》

2007年第19卷第4期

摘　　要:

深入分析了方板构型的电光开关晶体在高功率载荷条件下的热畸变行为,讨论了光强分布对热效应的影响。以KDP晶体为例,分别计算了激光束光强为高斯分布和均匀分布时晶体的温升、相应的热应力分布、波前畸变以及热退偏。结果表明,光强的分布形式对波前畸变和热退偏的影响是不同的。相对于光强均匀分布的激光束,高斯光束减缓了光斑边沿处的温度梯度,产生的热应力较小,因此可以减弱热退偏效应;另一方面,在光束口径范围内,高斯光束产生了附加的温度分布非均匀性,因而波前畸变会大一些。 (共5页)