电子电信 >> 强激光与粒子束 >> 2008年20卷1期 >> 摘要

脉冲激光辐照单晶硅形成的低维结构及其光致荧光特性

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许丽[1] 黄伟其[1,2] 吴克跃[1] 金峰[1] 王海旭[1]

[1]贵州大学贵州省光电子技术与应用重点实验室,贵阳550025 [2]贵州教育学院物理系,贵阳550003

《强激光与粒子束》

2008年第20卷第1期

摘　　要:

将功率密度约为0．5J·s^-1·cm^-2、脉冲宽度约为8ns、束斑直径为0．045mm、波长为1064nm的YAG激光束照射在硅样品表面打出小孔，在孔内的侧壁上形成较规则的网孔状结构；该结构有很强的光致荧光，其强度比该样品的瑞利散射强；发光峰中心约在700nm处。在无氧化的环境里用激光加工出的硅样品几乎无发光，这证实了氧在光致荧光增强上起着重要作用。用冷等离子体波模型来解释孔侧壁网孔状结构形成的机理，并用量子受限-发光中心模型来解释纳米网孔壁结构的强荧光效应。当激光辐照时间为9s时，孔洞侧壁上的网孔状结构较稳定，且有较强的光致荧光。 (共4页)