可接受掺杂比对掺杂晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响

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姬广举[1] 尹伊[2] 黄金哲[1] 沈涛[1]

[1]哈尔滨理工大学应用科学学院,黑龙江哈尔滨150080 [2]黑龙江省水利工程技术学校,黑龙江肇东151100

摘　　要:

为了研究掺杂比及可接受掺杂比对晶体AgGa1-xInxSe2频率转换的影响，依据可接受掺杂比的理论和晶体Sellmeier方程，给出了光学二次谐波产生（SHG）和Nd^3＋：YAG（1．06μm）与Ho^3＋：ILF（2．08μm）激光泵浦光学参量振荡器（OPO）的调谐曲线可接受掺杂比．该结论可用于AgGa1-xInxSe2晶体生长与应用． (共4页)

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