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KH2PO4中电子或空穴辅助下的氢缺陷反应
刘长松 中国科学院固体物理研究所合肥230031
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摘要：研究了非线性光学晶体材料KH2PO4(KDP)中不同带电状态的H缺陷的稳定性及其反应．从而以清晰的物理图像描绘了KDP材料暴露在强紫外线或X射线下性能下降的原因．研究发现，对于H间隙原子，当增加一个电子时，H间隙原子与主H原子发生作用，形成间隙H2分子并产生一个H空位，而增加一个空穴时H间隙原子与临近的主O原子形成氢氧键，这两种带电态的H间隙原子均切断KDP材料中形成网络的氢键；对于H空位，增加一个空穴将导致形成“过氧化氢”桥结构．这些结果在原子层次上清楚地解释了实验所建议的缺陷反应机制。 | |
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| 格式：PDF 页数：3 页 页码范围：9-11页 | ||
| 学科分类： | ||
| 关 键 词：氢缺陷 磷酸二氢钾 非线性光学 KDP 缺陷反应 晶体材料 带隙宽度 | ||
| 来源期刊：《物理》2004年 第1期 | ||
| 收录数据库：中文科技期刊数据库 | ||
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