Si／SiGe量子级联激光器研究进展
韩根全[1] 林桂江[2] 余金中[1,2]
[1]中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点联合实验室,北京100083 [2]2厦门大学物理系厦门大学半导体光子学研究中心,厦门361005
摘 要:
Si／SiGe量子级联激光器是一种新型的带内跃迁的红外光源，突破了Si基材料间接带隙特性对光跃迁的限制。Si/SiGe量子级联激光器的开发将为实现太赫兹有源器件的硅基集成产生深远影响。文章介绍了Si/SiGe量子级联激光器的工作原理，以及这类激光器在能带设计、材料生长和波导制作方面的最新进展。
学科分类:
TN248[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 激光技术、微波激射技术 > 激光器] TN431.2[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 半导体集成电路（固体电路） > 双极型 > 数字集成电路、逻辑集成电路]
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