摘 要:
受限于两种半导体界面之中的电子形成所谓二维电子气.二十几年来,半导体技术的发展促进了高纯二维电子气样品的制备,从而为固态物理的研究提供了广阔的空间。1980年和1982年的诺贝尔物理学奖分别被授予整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的研究者,相关的实验都是针对二维电子气在磁场下的输运行为。[第一段]
文章出处:
《物理》-2006年35卷11期 -981-981页
Physics
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受限于两种半导体界面之中的电子形成所谓二维电子气.二十几年来,半导体技术的发展促进了高纯二维电子气样品的制备,从而为固态物理的研究提供了广阔的空间。1980年和1982年的诺贝尔物理学奖分别被授予整数量子霍尔效应和分数量子霍尔效应的研究者,相关的实验都是针对二维电子气在磁场下的输运行为。[第一段]
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