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氢原子与H-Si（100）表面作用提取的氢分子角分布研究

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阳生红[1] CHATELET Marc[2]

[1]中山大学光电材料与技术国家重点实验室∥物理科学与工程技术学院,广东广州510275 [2]Laboratoire de Physique des Interfaces et des Couches Minces, CNRS, Ecole Polytechnique, 91128 Palaiseau Cedex, France

《中山大学学报：自然科学版》

2007年第46卷第6期

摘　　要:

利用可旋转四极质谱仪对氢原子束与氢化Si（100）表面作用中氢提取反应产生的氢分子角分布进行了系统的分析。发现氢原子束与氢化Si（100）表面作用中，从氢化Si（100）表面脱附的氢分子具有较宽的角分布，并可以用函数cos^nθf（其中n〈1）拟合氢分子角分布。脱附的氢分子角分布与Si（100）表面温度和表面重构模型无关。根据硅表面重构机制，用非活性脱氢模型对实验结果进行了合理的解释。