一维缺陷光子晶体温度的测量
童凯[1] 崔卫卫[1] 汪梅婷[2] 李志全[1]
[1]燕山大学电气工程学院,秦皇岛066004 [2]燕山大学继续教育学院,秦皇岛066004
摘 要:
采用Si和SiO2两种介质材料构造一维缺陷光子晶体,缺陷层介质为Si,利用传输矩阵法对带有缺陷的一维光子晶体的传光特性进行了理论分析,并得到其带隙特性.由于缺陷的存在,使得光子晶体的透射谱中产生缺陷峰.当被测温度变化时,根据两种介质的热光效应和热膨胀效应,光子晶体介质和缺陷层的光学厚度和折射率发生变化,透射谱缺陷峰产生漂移,由缺陷峰的中心波长漂移量得到被测温度的大小.构建了一维缺陷光子晶体测量温度的实验系统,实验结果表明缺陷峰中心波长与光子晶体所受的温度呈线性关系,测量灵敏度为0.207nm/℃,测量范围为-20—120℃.
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