双栅动态阈值SOI nMOSFET数值模拟
毕津顺 吴峻峰 海潮和
中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管，模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理．对于nMOS器件，背栅n阱是通过剂量为3×10^13cm^-2，能量为250keV的磷离子注入实现的，并与n＋前栅多晶硅直接相连．这项技术与体硅工艺完全兼容．通过Tsuprem4和Medici模拟，发现全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOSFET保持了传统全耗尽S0I nMOSFET的优势，消除了反常亚阈值斜率和kink效应，同时较传统全耗尽SOI nMOSFET有更加优秀的电流驱动能力和跨导特性． (共6页)
学科分类:
TN386.1[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 场效应器件 > 金属-氧化物-半导体（MOS）器件]
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