MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜
周新翠 叶志镇 陈福刚 徐伟中 缪燕 黄靖云 吕建国 朱丽萍 赵炳辉
浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027
摘 要:
利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜．实验采用二乙基锌作为锌源，高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源．实验表明：生长温度为400～450℃时获得了P型ZnO薄膜，而且在420℃时，其电学性能最好，空穴浓度为1．61×10^18cm^-3，电阻率为4．64Ω·cm，迁移率为0．838cm^2／（V·s）．霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的P型导电特性，并观察到薄膜位于3．354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰． (共5页)
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