NiSi／Si界面的剖面透射电镜研究

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摘　　要:

采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖而透射电镜（XTEM）对样品的NiSi／Si界面进行了研究．在未掺杂和掺杂（包括As和B）的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜，经快速热处理过程（RTP）完成硅化反应．X射线衍射和喇曼散射谱分析表明在各种样品中都形成了NiSi．还研究了硅衬底掺杂和退火过程对NiSi／Si界面的影响．研究表明：使用一步RTP形成NiSi的硅化工艺，在未掺杂和掺As的硅衬底上，NiSi／Si界面较粗糙；而使用两步RTP形成NiSi所对应的NiSi／Si界面要比一步RTP的平坦得多．高分辨率XTEM分析表明，在所有样品中都形成了沿衬底硅〈111〉方向的轴延-NiSi薄膜中的一些特定晶面与衬底硅中的（111）面对准生长．同时讨论了轴延中的晶面失配问题． (共6页)