PTCDA/ITO表面和界面的AFM和XPS分析

欧谷平[1] 宋珍[2] 桂文明[1] 张福甲[1]

[1]兰州大学物理系,兰州730000 [2]北京机械工业学院基础部,北京100085

摘  要:

利用X射线光电子能谱(XPS)对菲四甲酸二酐[3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride(PTCDA)]/铟锡氧化物(ITO)表面和界面进行了研究.用原子力显微镜(AFM)对PTCDA/ITO样品的表面形貌进行了分析.XPS表明,在原始表面的Cls精细谱存在两个主谱峰和一个伴峰,主谱峰分别由结合能为284.6eV的茈环中的C原子和结合能为288.7eV的酸酐基团中的C原子激发;而结合能为290.4eV的伴峰的存在,说明发生了来源于ITO膜中的氧对C原子的氧化现象.O原子在C—O键和C-O-C键的结合能分别为531,5和533.4eV.在界面处,Cls谱中较高结合能峰消失,且峰值向低结合能方向发生0.2eV的化学位移;01s谱向低结合能方向发生1.5eV的化学位移.由此可以推断,在界面处PTCDA与ITO的结合是PTCDA中的菲环与ITO中的In空位的结合.AFM的结果显示,PTCDA薄膜为岛状结构,岛的直径约为100~300nm,表面起伏约为14nm.相邻两层PTC—DA分子由于存在离域大π键而交叠和PTCDA分子中的菲环与ITO的In空位的紧密结合是最终导致PTCDA岛状结构形成的原因. (共6页)

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