AlGaN／GaN HEMT二维静态模型与模拟

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薛丽君[1] 夏洋[1] 刘明[1] 王燕[2] 邵雪[2] 鲁净[2] 马杰[1] 谢常青[1] 余志平[2]

[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]清华大学微电子研究所,北京100084

摘　　要:

考虑AlGaN／GaN材料的自发、压电极化效应和量子效应，通过泊松方程、薛定谔方程和流体力学方程组的数值自治求解方法，对AlGaN／GaN HEMT的二维静态模型与模拟问题进行了研究，得到了器件区域的导带图、二维电子气分布、电子温度特性、直流输出和转移特性，并对模拟结果进行了分析与讨论． (共6页)

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