一种适用于射频电子标签的超低功耗嵌入式EEPROM
闫娜 谈熙 赵涤燹 闵昊
复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,Auto-ID实验室,上海 201203
摘 要:
采用Chartered 0.35μm EEPROM工艺设计并实现了一个适用于无源射频电子标签的256位超低功耗EEPROM存储器.芯片实现了块编程和擦写功能,并通过优化敏感放大器和控制逻辑的结构,实现了读存储器时间和功耗的最优化.最后给出了芯片在编程/擦写/读操作情况下的功耗测试结果.在电源电压为1.8V,数据率为640kHz时,EEPROM编程/擦写的平均功耗约为68μA,读操作平均功耗约为0.6μA. (共5页)
学科分类:
TN492[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 微电子学、集成电路（IC） > 专用集成电路]
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