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不同淀积厚度InAs量子点的喇曼散射

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张冠杰[1] 徐波[2] 陈涌海[2] 姚江宏[1] 林耀望[1,2] 舒永春[1] 皮彪[1] 邢晓东[1] 刘如彬[1] 舒强[1] 王占国[1,2] 许京军[1]

[1]南开大学弱光非线性光子学材料先进技术及制备教育部重点实验室,天津 300457 [2]中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

《半导体学报》

2006年第27卷第6期

摘　　要:

利用喇曼散射方法在77K温度下对不同淀积厚度的InAs/GaAs量子点材料进行了研究.在高于InAs体材料LO模的频率范围内观察到了量子点的喇曼特征峰,分析表明应变效应是影响QD声子频率的主要因素.实验显示,随着量子点层淀积厚度L的增加,InAs量子点的声子频率由于应变释放发生红移.在加入InAlAs应变缓冲层的样品中,类AlAs声子峰随L增大发生了蓝移,从侧面证实了InAs量子点层的应变释放过程.