Si基外延GaN中位错的光助湿法化学显示
赵丽伟[1] 刘彩池[1] 滕晓云[1] 郝秋艳[1] 朱军山[1] 孙世龙[1] 王海云[1] 徐岳生[1] 冯玉春[2] 郭宝平[2]
[1]河北工业大学材料学院,信息功能材料研究所,天津 300130 [2]深圳大学光电子学研究所,深圳 518060
摘 要:
采用1000W卤钨灯作为光源,对GaN外延膜在KOH溶液中进行化学腐蚀,以显示晶体位错.采用扫描电子显微镜、原子力显微镜观察位错密度及表面形貌,得到了清晰的腐蚀图形.提出了腐蚀机理,光照激发位错处产生电子-空穴对,加速位错处的腐蚀速率.GaN表面出现了大量的六角腐蚀坑（位错露头）.优化了KOH溶液的腐蚀条件. (共5页)
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