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L-MBE法制备以ZnO为沟道层的薄膜晶体管

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张新安[1,2] 张景文[2] 杨晓东[2] 娄辉[1] 刘振玲[2] 张伟风[1] 侯洵[1,2]

[1]河南大学物理与信息光电子学院,开封 475001 [2]西安交通大学信息光子技术省重点实验室,西安 710049

《半导体学报》

2006年第27卷第6期

摘　　要:

采用激光分子束外延法（L-MBE）在SiNx/Si（111）衬底上制备了高质量的ZnO薄膜,用X射线衍射（XRD）和原子力显微镜（AFM）对薄膜的晶体结构、表面形貌进行了表征,结果表明ZnO薄膜有高度的c轴择优取向,薄膜表面平整致密.并以ZnO薄膜为沟道层制作了薄膜晶体管（ZnO-TFT）,该晶体管工作在n沟道增强模式,阈值电压为17.5V,电子的场迁移率达到1.05cm^2/（V·s）. (共4页)