垂直腔面发射激光器中的侧向氧化
刘文莉 郝永芹 王玉霞 姜晓光 冯源 李海军 钟景昌
长春理工大学高功率半导体激光重点实验室,长春130022
摘 要:
研究了垂直腔面发射激光器（VCSEL）的侧向氧化工艺及其特性．发现对于条形台面，氧化物生长遵循线性生长规律．但对于在VCSEL中采用的两种结构，氧化物的生长（温度高于435℃）表现为非线性生长行为．理论分析表明，台面结构的几何形状对高温下的氧化速率产生了影响。 (共4页)
学科分类:
TN248.4[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 光电子技术、激光技术 > 激光技术、微波激射技术 > 激光器 > 半导体激光器]
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