共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质
敖建平 孙云 王晓玲 李凤岩 何青 孙国忠 周志强 李长健
南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术重点实验室（南开大学,天津大学）,天津300071
摘 要:
采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度，以三步法工艺制备CIGS（Cu（In，Ga）Se2）薄膜，通过恒功率加热衬底测试温度的变化，可实现在线组分监测，得到CIGS薄膜的组成重现性很好，CIGS薄膜的表面光洁，粗糙度多数小于10nm，但是组成相同的CIGS薄膜，其结晶择优取向可能不同，主要有（112）和（220）／（204）两种；其结晶形貌也有很大的不同，晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高，虽然从Cu／（In＋Ga）＜1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构，但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型，少数呈n型. (共6页)
相关期刊
关注本文的人:
看过本文的人还看过:
cqvip.com