电子电信 >> 半导体学报 >> 2006年27卷9期 >> 摘要

低损耗衬底上实现无源低通滤波器

评论推荐

下载全文

方杰[1] 刘泽文[1] 赵嘉昊[2] 陈忠民[1] 韦嘉[1] 刘理天[1] 李志坚[1]

[1]清华大学微电子研究所,北京100084 [2]清华大学材料科学与工程系,北京100084

《半导体学报》

2006年第27卷第9期

摘　　要:

分析比较了不同种类衬底上无源器件（片上电感和电容）的损耗机理，在OPS（氧化多孔硅）和HR（高阻硅）低损耗衬底上分别实现了片上低通滤波器．为了研究衬底损耗，设计了平面螺旋电感，其Q值在两种衬底上的仿真结果都超过了20．在OPS衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2．9GHz，通带插入损耗在500MHz为0．87dB；在HR衬底上的低通滤波器实测-3dB带宽为2．3GHz，通带插入损耗在500MHz为0．42dB． (共6页)