SiGe HBT ^60Coγ射线辐照效应及退火特性
牛振红[1,2] 郭旗[1] 任迪远[1] 刘刚[1,2] 高嵩[1,2]
[1]中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐830011 [2]中国科学院研究生院,北京100039
摘 要:
研究了国产SiGe异质结双极晶体管（HBT）^60Coγ射线100Gy（Si）－10kGy（Si）总剂量辐照后的辐照效应及辐照后的退火特性．测试了辐照及退火后的直流电参数．实验结果显示，辐照后基极电流（Ib）明显增大，而集电极电流（Ic）基本不变，表明Ib的增加是电流增益退化的主要原因．退火结果表现为电流增益（β=Ic／Ib）继续衰降，表明SiGeHBT具有“后损伤”效应．对其机理进行了探讨，结果表明其主要原因是室温退火中界面态继续增长引起的．
学科分类:
TN323.4[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按作用分 > 功率晶体管]
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