C波段3．5W／mm，PAE〉40％的InGaP／GaAs HBT功率管
申华军 陈延湖 严北平 葛霁 王显泰 刘新宇 吴德馨
中国科学院微电子研究所,北京100029
摘 要:
通过优化InGaP／GaAs异质结双极晶体管（HBT）的材料结构和器件结构，采用BE金属自对准、发射极镇流和电镀空气桥等工艺技术，研制了C波段InGaP／GaAs HBT功率管．其击穿电压BVCBO大于31V，BVCEO大于21V；在5.4GHz时连续波（CW）饱和输出功率达到1．4W，功率密度达到3．5W／mm，功率附加效率（PAE）大于40％． (共4页)
学科分类:
TN325.3[工业技术 > 无线电电子学、电信技术 > 半导体技术 > 半导体三极管（晶体管） > 晶体管：按材料分 > 化合物晶体管、砷化镓晶体管]相关文章:
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