物理 >> 半导体学报 >> 2006年27卷11期 >> 摘要

用有限元方法分析Si／GaAs的键合热应力

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何国荣 杨国华 郑婉华 吴旭明 王小东 曹玉莲 王青 陈良惠

中国科学院半导体研究所,北京100083

《半导体学报》

2006年第27卷第11期

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摘　　要:

在考虑材料热膨胀系数随温度变化后，采用有限元方法结合ANSYS软件对Si／GaAs键合热应力进行了分析，研究了普通应力、轴向应力和剪切力的分布云图和沿界面的分布．同时提出了新的键合结构以减小热应力的影响，计算结果证明了该结构的有效性． (共5页)

关键词:

键合热应力有限元分析

学科分类:

O485[数理科学和化学 > 物理学 > 固体物理学 > 表面物理学]

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用有限元方法分析Si／GaAs的键合热应力

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